光电传感器一般由处理通路和处理元件2 部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3 类：（1 ）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2 ）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，如光敏电阻、光敏晶体管等；（3 ）在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏*应，如光电池等。

光电检测方法具有精度高、反应快、非接触等优点，而且可测参数多，传感器的结构简单，形式灵活多样，因此,光电式传感器在检测和控制中应用非常广泛。

光电传感器是各种光电检测系统中实现光电转换的关键元件，它是把光信号（可见及紫外镭射光）转变成为电信号的器件。

应用
如果传感器只能被安装在狭窄的空间或用于细小的物体检测，那么O7系列的光电传感器不愧为解决这类问题的*选择。 典型的应用为传输业及装配业。

优点
即使是长距离的检测，细小的光斑及狭窄的锥形光束仍然可检测细小的物体。 带固定检测距离范围的传感器安装好后即可投入运行，简单快捷。 带背景消隐的漫反射传感器可提供30 mm、50 mm或100 mm检测距离的型号。 可见的红光能确保目标物快捷的校准。

O7H200 - 漫反射传感器, 背景消隐, light-on模式, DC PNP, IP 65, 环境温度: -25...60 °C, 检测距离: 0,001...0,03 m, PUR电缆

O7H201 - 漫反射传感器, 背景消隐, dark-on模式, DC PNP, IP 65, 环境温度: -25...60 °C, 检测距离: 0,001...0,03 m, PUR电缆

O7H202 - 漫反射传感器, 背景消隐, light-on模式, DC PNP, IP 65, 环境温度: -25...60 °C, 检测距离: 0...0,05 m, PUR电缆

O7H203 - 漫反射传感器, 背景消隐, dark-on模式, DC PNP, IP 65, 环境温度: -25...60 °C, 检测距离: 0...0,05 m, PUR电缆

超灵敏德国IFM光电传感器/IFM传感器应用

IGC225 IGS213 II5687 II5851 IIS210 IT5039
IE5345 IE5345 IF5333 IF5636 IF5917 IFS217 IG0011 IG5285
IG6087 IGM205 IGT247 II5491 II5841 IIT212 IT5042
IE5082 IE5082 IE5368 IF5653 IF6029 IFC242 IG0051 IG5290

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