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德国P+F传感器UC6000-30GM-IUR2-V15

  • 型 号:
  • 更新时间:2024-07-18

当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用较为普遍。

品牌 P+F/德国倍加福

P+F传感器的主要分类:

按用途
压力敏和力敏传感器、位置传感器、液位传感器、能耗传感器、速度传感器、加速度传感器、射线辐射传感器、热敏传感器。
按原理
振动传感器、湿敏传感器、磁敏传感器、气敏传感器、真空度传感器、生物传感器等。
按输出信号
模拟传感器:将被测量的非电学量转换成模拟电信号。
数字传感器:将被测量的非电学量转换成数字输出信号(包括直接和间接转换)。
膺数字传感器:将被测量的信号量转换成频率信号或短周期信号的输出(包括直接或间接转换)。
开关传感器:当一个被测量的信号达到某个特定的阈值时,传感器相应地输出一个设定的低电平或高电平信号。
按其制造工艺
集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。
通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。
薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的,相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时,同样可将部分电路制造在此基板上。
厚膜传感器是利用相应材料的浆料,涂覆在陶瓷基片上制成的,基片通常是Al2O3制成的,然后进行热处理,使厚膜成形。
陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺(溶胶、凝胶等)生产。
完成适当的预备性操作之后,已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性,在某些方面,可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。
每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和生产所需的资本投入较低,以及传感器参数的高稳定性等原因,采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。

P+F传感器的产品型号:

P+F RH290N-OHAAAR61N-1024

P+F IQH1-FP-V1

P+F NBB4-12GM50-E2-V1

P+F LFL2-CK-U-PVC3 220V

P+F MB-RS-S-DO16-AKB-280186

P+F RHI58N-0BAK1R66N-3600

P+F RVI58N-011AAR61N-1024

P+F WCS2-GT09-P1 142201/1812007

P+F INX090D-F99-IE2-V15-Y223448 附件_插头+电缆:V15-W-5M-PUR

P+F 8106331-0500 DC24V 编码器

P+F 30-3601-A-1024 编码器

P+F AVM58N-011?AA?R?0?B?N-12?12

P+F KFD2-SR2-EX2.W

P+F NCB50-FP-E2-P1

P+F NCB1/5-8GM25-NO-10M

P+F GL30-RT/32/40A/98A

P+F SJ30-A2

P+F RHI90N-ONAK1R61N-1024

P+F NRB4-12GM40-E2-C-V1

P+F ASM58N-F2AK1RHGN-1213

P+F V1S-G 117119

P+F V15-W-10M-PUR-ABG-V15-G

P+F NBN25-30GM50-E2 10-30v 200mA

P+F NBN8-18GM50-E2

P+F传感器的静态特性是指对静态的输入信号,传感器的输出量与输入量之间所具有相互关系。因为这时输入量和输出量都和时间无关,所以它们之间的关系,即传感器的静态特性可用一个不含时间变量的代数方程,或以输入量作横坐标,把与其对应的输出量作纵坐标而画出的特性曲线来描述。表征传感器静态特性的主要参数有:线性度、灵敏度、迟滞、重复性、漂移等。
所谓动态特性,是指传感器在输入变化时,它的输出的特性。在实际工作中,传感器的动态特性常用它对某些标准输入信号的响应来表示。这是因为传感器对标准输入信号的响应容易用实验方法求得,并且它对标准输入信号的响应与它对任意输入信号的响应之间存在一定的关系,往往知道了前者就能推定后者。最常用的标准输入信号有阶跃信号和正弦信号两种,所以传感器的动态特性也常用阶跃响应和频率响应来表示。
通常情况下,传感器的实际静态特性输出是条曲线而非直线。在实际工作中,为使仪表具有均匀刻度的读数,常用一条拟合直线近似地代表实际的特性曲线、线性度(非线性误差)就是这个近似程度的一个性能指标。
拟合直线的选取有多种方法。如将零输入和满量程输出点相连的理论直线作为拟合直线;或将与特性曲线上各点偏差的平方和为最小的理论直线作为拟合直线,此拟合直线称为最小二乘法拟合直线。

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